电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
2期
11-13
,共3页
罗永松%夏晓红%任沁峰%李素琴%李家麟%贾志杰
囉永鬆%夏曉紅%任沁峰%李素琴%李傢麟%賈誌傑
라영송%하효홍%임심봉%리소금%리가린%가지걸
半导体技术%液相法%低温%分步合成%纳米Cu2O花
半導體技術%液相法%低溫%分步閤成%納米Cu2O花
반도체기술%액상법%저온%분보합성%납미Cu2O화
以Cu(CH3COO)2·H2O为原料,CTMAB(十六烷基三甲基溴化铵)和NaOH为添加剂,NaBH4为还原剂,通过液相法在低温(60 ℃)的条件下分步合成了纳米Cu2O花.采用XRD、SEM、TEM和紫外–可见吸收光谱分析等手段对纳米Cu2O花进行了表征.结果表明,纳米Cu2O花的生长过程符合成核–溶解–再结晶的机制.对照实验发现,NaOH和CTMAB的浓度对最终纳米花的形成起了关键性的作用.
以Cu(CH3COO)2·H2O為原料,CTMAB(十六烷基三甲基溴化銨)和NaOH為添加劑,NaBH4為還原劑,通過液相法在低溫(60 ℃)的條件下分步閤成瞭納米Cu2O花.採用XRD、SEM、TEM和紫外–可見吸收光譜分析等手段對納米Cu2O花進行瞭錶徵.結果錶明,納米Cu2O花的生長過程符閤成覈–溶解–再結晶的機製.對照實驗髮現,NaOH和CTMAB的濃度對最終納米花的形成起瞭關鍵性的作用.
이Cu(CH3COO)2·H2O위원료,CTMAB(십륙완기삼갑기추화안)화NaOH위첨가제,NaBH4위환원제,통과액상법재저온(60 ℃)적조건하분보합성료납미Cu2O화.채용XRD、SEM、TEM화자외–가견흡수광보분석등수단대납미Cu2O화진행료표정.결과표명,납미Cu2O화적생장과정부합성핵–용해–재결정적궤제.대조실험발현,NaOH화CTMAB적농도대최종납미화적형성기료관건성적작용.
