电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
3期
829-832
,共4页
陈延湖%申华军%王显泰%葛霁%刘新宇%吴德馨
陳延湖%申華軍%王顯泰%葛霽%劉新宇%吳德馨
진연호%신화군%왕현태%갈제%류신우%오덕형
自热效应%HBT%镜像电流源偏置电路%功率放大器
自熱效應%HBT%鏡像電流源偏置電路%功率放大器
자열효응%HBT%경상전류원편치전로%공솔방대기
研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.
研究瞭GaAs HBT的自熱效應對功率放大器鏡像電流源偏置電路性能的影響.HBT自熱效應使得這種偏置電路的鏡像精度和溫度特性變差.利用HBT器件特有的集電極電流熱電負反饋理論,通過優化基極偏置電阻的方法,對自熱效應進行瞭有效補償,偏置電路的電流鏡像精度得到有效提高,偏置電流溫度漂移由9.5%減小到0.5%.
연구료GaAs HBT적자열효응대공솔방대기경상전류원편치전로성능적영향.HBT자열효응사득저충편치전로적경상정도화온도특성변차.이용HBT기건특유적집전겁전류열전부반궤이론,통과우화기겁편치전조적방법,대자열효응진행료유효보상,편치전로적전류경상정도득도유효제고,편치전류온도표이유9.5%감소도0.5%.
