半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
8期
1242-1247
,共6页
毕臻%张景文%边旭明%王东%张新安%侯洵
畢臻%張景文%邊旭明%王東%張新安%侯洵
필진%장경문%변욱명%왕동%장신안%후순
Mg0.2Zn0.8O薄膜%紫外探测器%响应时间
Mg0.2Zn0.8O薄膜%紫外探測器%響應時間
Mg0.2Zn0.8O박막%자외탐측기%향응시간
采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.
採用激光分子束外延(LMBE)方法在藍寶石(0001)麵生長瞭高質量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,併對薄膜在空氣中900℃進行瞭1h的退火處理,然後採用剝離方法在薄膜錶麵製作瞭Al扠指電極,製備齣MSM型Mg0.2Zn0.8O光電導紫外探測器.對響應時間的測試錶明,探測器的上升時間僅為14.3ns,下降時間為6.5μs.
채용격광분자속외연(LMBE)방법재람보석(0001)면생장료고질량적Mg0.2Zn0.8O박막,병대박막재공기중900℃진행료1h적퇴화처리,연후채용박리방법재박막표면제작료Al차지전겁,제비출MSM형Mg0.2Zn0.8O광전도자외탐측기.대향응시간적측시표명,탐측기적상승시간부위14.3ns,하강시간위6.5μs.
