半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
12期
1153-1157
,共5页
刘丁菡%张方辉%阎洪刚%蒋谦
劉丁菡%張方輝%閻洪剛%蔣謙
류정함%장방휘%염홍강%장겸
NPB%WOLED%厚度%电致发光%显示器件
NPB%WOLED%厚度%電緻髮光%顯示器件
NPB%WOLED%후도%전치발광%현시기건
主要研究了NPB厚度对堆叠式白色有机电致发光器件性能的影响.实验制备了四组结构为ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(T nm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)(其中71分别为15,30,35和40 nm)的OLED器件,比较了不同厚度情况下OLED器件的电致发光特性,结果表明:改变NPB(4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1)的厚度能够明显提高器件的发光亮度和发光效率,并调节载流子复合区域的位置,有效提高载流子的注入效果.同时发光器件的颜色也可通过调节NPB层的厚度来改变,这种器件使用NPB作为空穴传输层显示出了色纯度高、亮度好、效率较高的白光发射,其具有CIE色坐标(x=0.301 6,y=0.338 5),最高亮度和最大发光效率分别达到14 020 cd/m2与2.94 lm/W.
主要研究瞭NPB厚度對堆疊式白色有機電緻髮光器件性能的影響.實驗製備瞭四組結構為ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(T nm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)(其中71分彆為15,30,35和40 nm)的OLED器件,比較瞭不同厚度情況下OLED器件的電緻髮光特性,結果錶明:改變NPB(4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1)的厚度能夠明顯提高器件的髮光亮度和髮光效率,併調節載流子複閤區域的位置,有效提高載流子的註入效果.同時髮光器件的顏色也可通過調節NPB層的厚度來改變,這種器件使用NPB作為空穴傳輸層顯示齣瞭色純度高、亮度好、效率較高的白光髮射,其具有CIE色坐標(x=0.301 6,y=0.338 5),最高亮度和最大髮光效率分彆達到14 020 cd/m2與2.94 lm/W.
주요연구료NPB후도대퇴첩식백색유궤전치발광기건성능적영향.실험제비료사조결구위ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(T nm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)(기중71분별위15,30,35화40 nm)적OLED기건,비교료불동후도정황하OLED기건적전치발광특성,결과표명:개변NPB(4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1)적후도능구명현제고기건적발광량도화발광효솔,병조절재류자복합구역적위치,유효제고재류자적주입효과.동시발광기건적안색야가통과조절NPB층적후도래개변,저충기건사용NPB작위공혈전수층현시출료색순도고、량도호、효솔교고적백광발사,기구유CIE색좌표(x=0.301 6,y=0.338 5),최고량도화최대발광효솔분별체도14 020 cd/m2여2.94 lm/W.
