半导体材料电子非电离能损的分析法计算
반도체재료전자비전리능손적분석법계산
Analytical Calculation of Non-ionizing Energy Loss for Electron on Semiconductor Materials
  • 万方数据
    核电子学与探测技术 핵전자학여탐측기술
    NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
    2012年 7期 820-825 ,共6页

    于新%何承发%郭旗%张兴尧%吴雪%张乐情%卢建%胥佳灵%胡天乐

    우신%하승발%곽기%장흥요%오설%장악정%로건%서가령%호천악

    非电离能损%mott散射截面%林哈德因子%分子动力学模型 非電離能損%mott散射截麵%林哈德因子%分子動力學模型
    비전리능손%mott산사절면%림합덕인자%분자동역학모형
    非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息.考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响.
    비전리능손(NIEL)가용우예측반도체기건재공간복사배경중위이손상인기적성능삼수퇴화,계산모형선용경전NIEL모형,계산료능량범위위100 keV～200 MeV적전자입규、타、신화가재료적NIEL,급미분산사절면、림합덕인자화위이원자수량등신식.고필도경전NIEL모형재입사전자능량교저적정황하득출적위이원자수량불구정학,소이용분자동역학(MD)방법가이개량,득출재저능구역경진실적위이원자수량,용우수정경전NIEL,병분석료MD모형하신적위이역치능대계산결과적영향.
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