液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2004年
2期
120-123
,共4页
顾广瑞%吴宝嘉%李全军%金哲%盖同祥%赵永年
顧廣瑞%吳寶嘉%李全軍%金哲%蓋同祥%趙永年
고엄서%오보가%리전군%금철%개동상%조영년
场发射%BN薄膜%氮气分压
場髮射%BN薄膜%氮氣分壓
장발사%BN박막%담기분압
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99 %)和高纯Ar(99.99 %)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响.随着氮气分压的增加,阈值电场逐渐升高,这是由于表面粗糙度的变化造成的.充入10 % N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,开启电场为9 V/μm,当电场升高到24 V/μm,场发射电流为320 μA/cm2.所有样品的场发射FN曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.
利用射頻磁控濺射方法,真空室中充入高純N2(99.99 %)和高純Ar(99.99 %)的混閤氣體,在n型(100)Si基底上沉積瞭氮化硼(BN)薄膜.紅外光譜分析錶明,BN薄膜結構為六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)繫統中測量瞭BN薄膜的場髮射特性,髮現沉積時氮氣分壓的變化對BN薄膜的場髮射特性有很大影響.隨著氮氣分壓的增加,閾值電場逐漸升高,這是由于錶麵粗糙度的變化造成的.充入10 % N2情況下沉積的BN薄膜樣品的場髮射特性較好,開啟電場為9 V/μm,噹電場升高到24 V/μm,場髮射電流為320 μA/cm2.所有樣品的場髮射FN麯線均近似為直線,錶明電子是通過隧道效應穿透BN薄膜錶麵勢壘髮射到真空的.
이용사빈자공천사방법,진공실중충입고순N2(99.99 %)화고순Ar(99.99 %)적혼합기체,재n형(100)Si기저상침적료담화붕(BN)박막.홍외광보분석표명,BN박막결구위륙각BN(h-BN)상(1 380 cm-1화780 cm-1).재초고진공(<10-7 Pa)계통중측량료BN박막적장발사특성,발현침적시담기분압적변화대BN박막적장발사특성유흔대영향.수착담기분압적증가,역치전장축점승고,저시유우표면조조도적변화조성적.충입10 % N2정황하침적적BN박막양품적장발사특성교호,개계전장위9 V/μm,당전장승고도24 V/μm,장발사전류위320 μA/cm2.소유양품적장발사FN곡선균근사위직선,표명전자시통과수도효응천투BN박막표면세루발사도진공적.
