半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
554-561
,共8页
张大伟%章浩%朱广平%张雪莲%田立林%余志平
張大偉%章浩%硃廣平%張雪蓮%田立林%餘誌平
장대위%장호%주엄평%장설련%전립림%여지평
量子力学效应%弹道输运%体硅MOSFET%集约I-V模型%可延伸性
量子力學效應%彈道輸運%體硅MOSFET%集約I-V模型%可延伸性
양자역학효응%탄도수운%체규MOSFET%집약I-V모형%가연신성
利用"局域化"的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型.通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.
利用"跼域化"的概唸和二維泊鬆方程的解析解,建立瞭溝道方嚮上二維量子效應對閾電壓的脩正模型.基于密度梯度理論,建立瞭多晶硅柵內量子效應對閾電壓的脩正模型.在此基礎上,結閤彈道理論,開髮瞭一箇適用于亞100nm MOSFET的集約I-V模型.通過與TSMC提供的溝長為45nm實際器件測試結果[1],以及與三組亞100nm MOSFET的數值模擬結果的比較,證明瞭該模型具有良好的精度(平均誤差小于8%)和可延伸性.
이용"국역화"적개념화이유박송방정적해석해,건립료구도방향상이유양자효응대역전압적수정모형.기우밀도제도이론,건립료다정규책내양자효응대역전압적수정모형.재차기출상,결합탄도이론,개발료일개괄용우아100nm MOSFET적집약I-V모형.통과여TSMC제공적구장위45nm실제기건측시결과[1],이급여삼조아100nm MOSFET적수치모의결과적비교,증명료해모형구유량호적정도(평균오차소우8%)화가연신성.
