电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2006年
3期
624-626,634
,共4页
王茂菊%李斌%章晓文%陈平%韩静
王茂菊%李斌%章曉文%陳平%韓靜
왕무국%리빈%장효문%진평%한정
薄栅氧化物%TDDB%斜坡电压法%击穿参数
薄柵氧化物%TDDB%斜坡電壓法%擊穿參數
박책양화물%TDDB%사파전압법%격천삼수
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系.
隨著超大規模集成電路的不斷髮展,薄柵氧化層的質量對器件和電路的可靠性的作用越來越重要.經時絕緣擊穿(TDDB)是評價薄柵氧化層質量的重要方法.本次實驗主要是通過斜坡電壓實驗來研究薄柵氧化層的TDDB,測齣斜坡電壓時氧化層的擊穿電壓、擊穿電荷以及擊穿時間,研究瞭斜坡電壓情況下,柵氧化層擊穿電荷、擊穿電壓和外加電壓斜率等擊穿參數間的依賴關繫.
수착초대규모집성전로적불단발전,박책양화층적질량대기건화전로적가고성적작용월래월중요.경시절연격천(TDDB)시평개박책양화층질량적중요방법.본차실험주요시통과사파전압실험래연구박책양화층적TDDB,측출사파전압시양화층적격천전압、격천전하이급격천시간,연구료사파전압정황하,책양화층격천전하、격천전압화외가전압사솔등격천삼수간적의뢰관계.
