四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2008年
3期
586-590
,共5页
张英杰%邓爱红%幸浩洋%龙娟娟%喻菁%于鑫翔%程祥
張英傑%鄧愛紅%倖浩洋%龍娟娟%喻菁%于鑫翔%程祥
장영걸%산애홍%행호양%룡연연%유정%우흠상%정상
正电子%半导体%深能级瞬态谱(DLTS)%正电子深能级瞬态谱(PDLTS)
正電子%半導體%深能級瞬態譜(DLTS)%正電子深能級瞬態譜(PDLTS)
정전자%반도체%심능급순태보(DLTS)%정전자심능급순태보(PDLTS)
本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.
本文介紹的正電子深能級瞬態譜(PDLTS)技術是結閤瞭對固體缺陷有很高靈敏度的正電子湮沒譜(PAS)和一些深能級瞬態譜(DLTS)技術而成新的實驗方法.該技術能用來研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半導體材料的缺陷特徵,它的優點不僅能研究半導體材料中缺陷的電學特徵而且還能夠同時揭示這些電活性缺陷的微觀結構信息.本文將介紹砷化鎵中EL2缺陷能級的PDLTS研究,運用該技術併結閤深能級Arrhenius分析,得到EL2能級值為0.82±0.02 eV.
본문개소적정전자심능급순태보(PDLTS)기술시결합료대고체결함유흔고령민도적정전자인몰보(PAS)화일사심능급순태보(DLTS)기술이성신적실험방법.해기술능용래연구Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ족등반도체재료적결함특정,타적우점불부능연구반도체재료중결함적전학특정이차환능구동시게시저사전활성결함적미관결구신식.본문장개소신화가중EL2결함능급적PDLTS연구,운용해기술병결합심능급Arrhenius분석,득도EL2능급치위0.82±0.02 eV.
