电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2009年
7期
34-36
,共3页
高喜庆%高建峰%康耀辉%张政
高喜慶%高建峰%康耀輝%張政
고희경%고건봉%강요휘%장정
截止频率%高电子迁移率晶体管%InAlAs/InGaAs%InP
截止頻率%高電子遷移率晶體管%InAlAs/InGaAs%InP
절지빈솔%고전자천이솔정체관%InAlAs/InGaAs%InP
文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件.栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺.器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InP HEMT材料上.当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz.
文章報道瞭90nm柵長的晶格匹配InP基HEMT器件.柵圖形是通過80kV的電子束直寫的,併採用瞭優化的三層膠工藝.器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InP HEMT材料上.噹Vds=1.0V時,兩指75μm柵寬器件的本徵峰值跨導達到720ms/mm,最大電流密度為500mA/mm,器件的閾值電壓為-0.8V,截止頻率達到127GHz,最大振盪頻率達到152GHz.
문장보도료90nm책장적정격필배InP기HEMT기건.책도형시통과80kV적전자속직사적,병채용료우화적삼층효공예.기건주재필배적InAlAs/InGaAs/InP HEMT재료상.당Vds=1.0V시,량지75μm책관기건적본정봉치과도체도720ms/mm,최대전류밀도위500mA/mm,기건적역치전압위-0.8V,절지빈솔체도127GHz,최대진탕빈솔체도152GHz.
