电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
11期
19-23
,共5页
刘欢%甘卫平%张金玲%郭桂全%周华
劉歡%甘衛平%張金玲%郭桂全%週華
류환%감위평%장금령%곽계전%주화
低温共烧陶瓷%导电银浆%玻璃粉%线胀系数%附着力
低溫共燒陶瓷%導電銀漿%玻璃粉%線脹繫數%附著力
저온공소도자%도전은장%파리분%선창계수%부착력
采用优化后的玻璃粉配制成导电银浆,与MgSiO3-CaSiO3生瓷片共烧后形成导电厚膜,探讨了不同玻璃粉配方对所制厚膜的微观结构、热学性能、附着力,线膨胀系数和导电性能的影响,研究了导电银浆与基片低温共烧的匹配性能.结果表明,SiO2-Al2O3-B2O3-CaO-Li2O系玻璃粉配制的导电银浆低温共烧后获得的导电厚膜平滑、均匀、致密;随着该系玻璃粉中Li2O含量的增加,导电银浆的线胀系数逐渐降低;Li2O的质量分数为6%时,该浆料线胀系数最低,为18.482×10-6℃-1;Li2O的质量分数为2%时,导电厚膜与基片的线膨胀匹配性良好,导电性能最好,方阻为3.02mΩ/□.
採用優化後的玻璃粉配製成導電銀漿,與MgSiO3-CaSiO3生瓷片共燒後形成導電厚膜,探討瞭不同玻璃粉配方對所製厚膜的微觀結構、熱學性能、附著力,線膨脹繫數和導電性能的影響,研究瞭導電銀漿與基片低溫共燒的匹配性能.結果錶明,SiO2-Al2O3-B2O3-CaO-Li2O繫玻璃粉配製的導電銀漿低溫共燒後穫得的導電厚膜平滑、均勻、緻密;隨著該繫玻璃粉中Li2O含量的增加,導電銀漿的線脹繫數逐漸降低;Li2O的質量分數為6%時,該漿料線脹繫數最低,為18.482×10-6℃-1;Li2O的質量分數為2%時,導電厚膜與基片的線膨脹匹配性良好,導電性能最好,方阻為3.02mΩ/□.
채용우화후적파리분배제성도전은장,여MgSiO3-CaSiO3생자편공소후형성도전후막,탐토료불동파리분배방대소제후막적미관결구、열학성능、부착력,선팽창계수화도전성능적영향,연구료도전은장여기편저온공소적필배성능.결과표명,SiO2-Al2O3-B2O3-CaO-Li2O계파리분배제적도전은장저온공소후획득적도전후막평활、균균、치밀;수착해계파리분중Li2O함량적증가,도전은장적선창계수축점강저;Li2O적질량분수위6%시,해장료선창계수최저,위18.482×10-6℃-1;Li2O적질량분수위2%시,도전후막여기편적선팽창필배성량호,도전성능최호,방조위3.02mΩ/□.
