CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究
CMOS SRAM총제량복사급퇴화효응연구
Research on the Total Dose Irradiation and Annealing Effects of CMOS SRAM
  • 万方数据
    核电子学与探测技术 핵전자학여탐측기술
    NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
    2010年 8期 1087-1091,1097 ,共6页

    李茂顺%余学峰%郭旗%李豫东%高博%崔江维%兰博%陈睿%费武雄%赵云

    리무순%여학봉%곽기%리예동%고박%최강유%란박%진예%비무웅%조운

    静态随机存储器%总剂量辐射%退火 靜態隨機存儲器%總劑量輻射%退火
    정태수궤존저기%총제량복사%퇴화
    对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显.
    대1 Mbits적정태수궤존저기(SRAM)진행료총제량복조급퇴화시험,시험결과표명:정、동태공모전류균수총제량증가이현저증대;정태공모전류적퇴화여공능실효유밀절상관성,비상괄합작위복사배경하기건공능실효적예경량;SRAM적독사출착수존재복사제량역치,초과역치시출착수편회지수증가;퇴화과정가이사기건삼수회복도초시치부근,기중고온퇴화대출착수적회복작용경가명현.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문