磁性材料及器件
磁性材料及器件
자성재료급기건
JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEVICES
2011年
6期
27-30,72
,共5页
黄文娟%方庆清%王伟娜%吴克跃%张瀚铭%张启平
黃文娟%方慶清%王偉娜%吳剋躍%張瀚銘%張啟平
황문연%방경청%왕위나%오극약%장한명%장계평
ZnO薄膜%Mg掺杂%室温铁磁性%缺陷
ZnO薄膜%Mg摻雜%室溫鐵磁性%缺陷
ZnO박막%Mg참잡%실온철자성%결함
采用脉冲激光沉积( PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备2n1 -xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)薄膜,研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影响.分析表明,Mg掺杂量会影响薄膜中的缺陷浓度,进而影响缺陷周围离子中的自旋极化效应,对薄膜磁性产生影响.氧压的增大会使Zn0.925Mg0.075O薄膜中锌位氧(Ozn)缺陷浓度增大,但是,缺陷浓度过大又会使薄膜中出现缺陷对,这些影响使薄膜磁性随氧压的增大先增大后减小.而后续退火会影响薄膜结晶质量和缺陷浓度,也会对薄膜磁性产生影响.上述三个因素对Mg掺杂ZnO薄膜磁性的影响都与薄膜中的缺陷浓度变化有关.
採用脈遲激光沉積( PLD)方法在單晶Si(100)襯底上製備2n1 -xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)薄膜,研究瞭不同Mg含量摻雜、氧壓、退火溫度對其磁性的影響.分析錶明,Mg摻雜量會影響薄膜中的缺陷濃度,進而影響缺陷週圍離子中的自鏇極化效應,對薄膜磁性產生影響.氧壓的增大會使Zn0.925Mg0.075O薄膜中鋅位氧(Ozn)缺陷濃度增大,但是,缺陷濃度過大又會使薄膜中齣現缺陷對,這些影響使薄膜磁性隨氧壓的增大先增大後減小.而後續退火會影響薄膜結晶質量和缺陷濃度,也會對薄膜磁性產生影響.上述三箇因素對Mg摻雜ZnO薄膜磁性的影響都與薄膜中的缺陷濃度變化有關.
채용맥충격광침적( PLD)방법재단정Si(100)츤저상제비2n1 -xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)박막,연구료불동Mg함량참잡、양압、퇴화온도대기자성적영향.분석표명,Mg참잡량회영향박막중적결함농도,진이영향결함주위리자중적자선겁화효응,대박막자성산생영향.양압적증대회사Zn0.925Mg0.075O박막중자위양(Ozn)결함농도증대,단시,결함농도과대우회사박막중출현결함대,저사영향사박막자성수양압적증대선증대후감소.이후속퇴화회영향박막결정질량화결함농도,야회대박막자성산생영향.상술삼개인소대Mg참잡ZnO박막자성적영향도여박막중적결함농도변화유관.
