CAJ | 학술논문

采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化.分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的“塔”状结构；虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强.最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析.
채용상압화학기상침적법(APCVD),분별이금속가(Ga),인(In)화안기(NH3)위가원,인원화담원,재Si츤저상이용최화제Au성공합성료불동형모적InxGa1-xN납미재료.이용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM),X사선광전자능보(XPS)화광치발광보(PL)대비연구료InxGa1-xN(x=0,0.25)납미재료재형모,화학성분,정체결구이급발광특성적변화.분석결과표명:당몰유최화제시,소생성적InxGa1-xN양품형모유편상결구자조장성화상결구,이재최화제Au적작용하,생성적InxGa1-xN납미정적형모변위이납미선위축재기상생장적편상적“탑”상결구；수연재최화제Au적작용하생성적InxGa1-xN(x=0.25)형모발생료흔대변화,단정체결구미발생개변,균위륙방섬자광결구;PL분석결과현시InxGa1-xN납미결구적발광성능수착In함량적증가,발광보적강도증가차동시출현료람광구,재최화제Au적작용하생성적InxGa1-xN적발광강도최강.최후대불동형모InxGa1-xN기생장궤리주간단분석.