太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2005年
3期
371-375
,共5页
邱继军%靳正国%武卫兵%刘晓新%程志捷
邱繼軍%靳正國%武衛兵%劉曉新%程誌捷
구계군%근정국%무위병%류효신%정지첩
CdS薄膜%ILGAR法制备%热处理
CdS薄膜%ILGAR法製備%熱處理
CdS박막%ILGAR법제비%열처리
采用一种薄膜制备的新方法-离子层气相反应法(ILGAR),以CdCl2为前驱体,H2S为硫源制备了CdS薄膜.利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV-VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究.实验结果表明:ILGAR法制备的CdS薄膜表面较致密、均匀、附着性好;在0.05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理,薄膜以～2.8nm/cycle的恒定速率增长,且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长;400℃热处理1h,发生立方→六方晶型转变,最终为六方与立方混相结构,择优方向转为六方(002)面;薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移,其禁带宽度降低,并且会随着膜厚的增加进一步降低.
採用一種薄膜製備的新方法-離子層氣相反應法(ILGAR),以CdCl2為前驅體,H2S為硫源製備瞭CdS薄膜.利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV-VIS透射光譜等測試分析方法對薄膜的晶型、錶麵化學組成、錶麵形貌、膜厚增長速度及光學性能進行瞭研究.實驗結果錶明:ILGAR法製備的CdS薄膜錶麵較緻密、均勻、附著性好;在0.05MCdCl2前驅體溶液浸漬處理,薄膜以～2.8nm/cycle的恆定速率增長,且薄膜晶體沿立方(111)麵具有明顯的擇優取嚮生長;400℃熱處理1h,髮生立方→六方晶型轉變,最終為六方與立方混相結構,擇優方嚮轉為六方(002)麵;薄膜經熱處理後在可見光處的吸收峰髮生紅移,其禁帶寬度降低,併且會隨著膜厚的增加進一步降低.
채용일충박막제비적신방법-리자층기상반응법(ILGAR),이CdCl2위전구체,H2S위류원제비료CdS박막.이용XRD、SEM、AFM、XPS급UV-VIS투사광보등측시분석방법대박막적정형、표면화학조성、표면형모、막후증장속도급광학성능진행료연구.실험결과표명:ILGAR법제비적CdS박막표면교치밀、균균、부착성호;재0.05MCdCl2전구체용액침지처리,박막이～2.8nm/cycle적항정속솔증장,차박막정체연립방(111)면구유명현적택우취향생장;400℃열처리1h,발생립방→륙방정형전변,최종위륙방여립방혼상결구,택우방향전위륙방(002)면;박막경열처리후재가견광처적흡수봉발생홍이,기금대관도강저,병차회수착막후적증가진일보강저.
