半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
11期
2107-2110
,共4页
江慧华%杨德仁%田达晰%马向阳%李立本%阙端麟
江慧華%楊德仁%田達晰%馬嚮暘%李立本%闕耑麟
강혜화%양덕인%전체석%마향양%리립본%궐단린
重掺硼直拉硅%锗%氧沉淀
重摻硼直拉硅%鍺%氧沉澱
중참붕직랍규%타%양침정
通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.
通過單步長時間退火(650～1150℃/64h)和低高兩步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究鍺對重摻硼硅(HB-Si)中氧沉澱的影響.實驗結果錶明,經過退火後,摻鍺的重摻硼硅中與氧沉澱相關的體微缺陷密度要遠遠低于一般的重摻硼硅,這錶明鍺的摻人抑製瞭重摻硼硅中氧沉澱的生成,併對相關的機製做瞭初步探討.
통과단보장시간퇴화(650～1150℃/64h)화저고량보퇴화(650℃/16h+1000℃/16h화800℃/4～128h+1000℃/16h),연구타대중참붕규(HB-Si)중양침정적영향.실험결과표명,경과퇴화후,참타적중참붕규중여양침정상관적체미결함밀도요원원저우일반적중참붕규,저표명타적참인억제료중참붕규중양침정적생성,병대상관적궤제주료초보탐토.
