固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
32-36
,共5页
低噪声放大器%赝晶高电子迁移率晶体管%有源匹配%噪声系数
低譟聲放大器%贗晶高電子遷移率晶體管%有源匹配%譟聲繫數
저조성방대기%안정고전자천이솔정체관%유원필배%조성계수
采用OMMIC公司提供的0.2 μmGaAs PHEMT工艺(fT=60GHz)设计并实现了一种适用于宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.在3.1～10.6 GHz的频带内测试结果如下:最高增益为13 dB;增益波动＜2dB;输入回波损耗S11＜-11 dB;输出回波损耗S22＜-16 dB;噪声系数NF＜3.9 dB.5 V电源供电,功耗为120mW.芯片面积为0.5 mm×0.9 mm.与近期公开发表的宽带低噪声放大器测试结果相比较,本电路结构具有芯片面积小、工作带宽大、噪声系数低的优点.
採用OMMIC公司提供的0.2 μmGaAs PHEMT工藝(fT=60GHz)設計併實現瞭一種適用于寬帶無線通信繫統接收前耑的低譟聲放大器.在3.1～10.6 GHz的頻帶內測試結果如下:最高增益為13 dB;增益波動＜2dB;輸入迴波損耗S11＜-11 dB;輸齣迴波損耗S22＜-16 dB;譟聲繫數NF＜3.9 dB.5 V電源供電,功耗為120mW.芯片麵積為0.5 mm×0.9 mm.與近期公開髮錶的寬帶低譟聲放大器測試結果相比較,本電路結構具有芯片麵積小、工作帶寬大、譟聲繫數低的優點.
채용OMMIC공사제공적0.2 μmGaAs PHEMT공예(fT=60GHz)설계병실현료일충괄용우관대무선통신계통접수전단적저조성방대기.재3.1～10.6 GHz적빈대내측시결과여하:최고증익위13 dB;증익파동＜2dB;수입회파손모S11＜-11 dB;수출회파손모S22＜-16 dB;조성계수NF＜3.9 dB.5 V전원공전,공모위120mW.심편면적위0.5 mm×0.9 mm.여근기공개발표적관대저조성방대기측시결과상비교,본전로결구구유심편면적소、공작대관대、조성계수저적우점.
