半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
778-780,784
,共4页
套格套%路国光%尧舜%宁永强%刘云%王立军
套格套%路國光%堯舜%寧永彊%劉雲%王立軍
투격투%로국광%요순%저영강%류운%왕립군
大功率半导体激光器%电场强度优化设计%腔面膜
大功率半導體激光器%電場彊度優化設計%腔麵膜
대공솔반도체격광기%전장강도우화설계%강면막
推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性.从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料.给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案.得到后腔面电场强度优化设计的膜系.
推導齣半導體激光器前腔麵和後腔麵上的入射激光功率之比,闡述瞭後腔麵膜電場彊度優化設計的重要性.從實際問題齣髮在以往腔麵膜的研製基礎上,選擇適閤製備808nm大功率半導體激光器腔麵的鍍膜材料.給齣瞭鍍製腔麵膜過程中會齣現的種種關鍵問題的解決方法,針對各種具體應用提齣幾種前腔麵設計方案.得到後腔麵電場彊度優化設計的膜繫.
추도출반도체격광기전강면화후강면상적입사격광공솔지비,천술료후강면막전장강도우화설계적중요성.종실제문제출발재이왕강면막적연제기출상,선택괄합제비808nm대공솔반도체격광기강면적도막재료.급출료도제강면막과정중회출현적충충관건문제적해결방법,침대각충구체응용제출궤충전강면설계방안.득도후강면전장강도우화설계적막계.
