功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2009年
3期
249-253
,共5页
倪鹤南%吴良才%宋志棠%惠春
倪鶴南%吳良纔%宋誌棠%惠春
예학남%오량재%송지당%혜춘
非挥发性存储器%纳米晶%金属纳米晶
非揮髮性存儲器%納米晶%金屬納米晶
비휘발성존저기%납미정%금속납미정
优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.
優化瞭金屬納米晶的製備工藝參數,得到瞭分佈均勻,形狀為毬形,平均呎吋8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag納米晶.在此基礎上,製備瞭包含Ag納米晶的MOS電容結構.利用高頻電容-電壓(C-V)和電導-電壓(G-V)測試研究瞭其電學性能,證明該MOS電容結構的存儲效應主要源于金屬納米晶的限製態.電容-時間(C-t)測試麯線呈指數衰減趨勢,保留時間290s,具有較好的保留性能.
우화료금속납미정적제비공예삼수,득도료분포균균,형상위구형,평균척촌8nm,밀도2.5×1011/cm2적Ag납미정.재차기출상,제비료포함Ag납미정적MOS전용결구.이용고빈전용-전압(C-V)화전도-전압(G-V)측시연구료기전학성능,증명해MOS전용결구적존저효응주요원우금속납미정적한제태.전용-시간(C-t)측시곡선정지수쇠감추세,보류시간290s,구유교호적보류성능.
