固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
167-169
,共3页
康耀辉%张政%朱赤%高剑锋
康耀輝%張政%硃赤%高劍鋒
강요휘%장정%주적%고검봉
渐变组分高迁移率晶体管%T形栅%截止频率
漸變組分高遷移率晶體管%T形柵%截止頻率
점변조분고천이솔정체관%T형책%절지빈솔
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT.从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构.从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能.最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275 mA/mm,夹断电压-0.8 V,在Uga为-0.15 V时的最大非本征跨导gm为650 mS/mm,截止频率ft达到136 GHz,最大振荡频率fmax大于120 GHz.
應用電子束直寫技術成功製作瞭柵長0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT.從工藝角度,結閤器件的小信號等效電路的理論分析,優化瞭器件結構,特彆是T形柵結構.從而減小瞭器件寄生參數,達到瞭較好的器件性能.最終製作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT飽和電流達到275 mA/mm,夾斷電壓-0.8 V,在Uga為-0.15 V時的最大非本徵跨導gm為650 mS/mm,截止頻率ft達到136 GHz,最大振盪頻率fmax大于120 GHz.
응용전자속직사기술성공제작료책장0.18μm적고성능In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT.종공예각도,결합기건적소신호등효전로적이론분석,우화료기건결구,특별시T형책결구.종이감소료기건기생삼수,체도료교호적기건성능.최종제작적In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT포화전류체도275 mA/mm,협단전압-0.8 V,재Uga위-0.15 V시적최대비본정과도gm위650 mS/mm,절지빈솔ft체도136 GHz,최대진탕빈솔fmax대우120 GHz.
