微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
10期
599-603
,共5页
董建会%曾葆青%田时开%崔文丽
董建會%曾葆青%田時開%崔文麗
동건회%증보청%전시개%최문려
场发射%F-N理论%有效发射面积%碳纳米管%磁控溅射
場髮射%F-N理論%有效髮射麵積%碳納米管%磁控濺射
장발사%F-N이론%유효발사면적%탄납미관%자공천사
讨论了薄膜与阳极间隔以及有效发射面积对碳纳米管薄膜场发射性能的影响.以磁控溅射Al和Ni在Si片上做为缓冲层和催化剂,以乙炔为C源气体,利用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜.扫描电镜观测结果表明,碳纳米管的直径为50～80 am.采用二极管结构,测试了样品的场发射性能,结果表明碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为400μm时开启场为0.85 V/μm、阈值场为1.22 V/μm.F-N理论计算结果表明,碳纳米管薄膜的有效发射面积几乎不随场发射所加电压的变化而改变;有效发射面积随着薄膜与阳极距离的增加而增大.
討論瞭薄膜與暘極間隔以及有效髮射麵積對碳納米管薄膜場髮射性能的影響.以磁控濺射Al和Ni在Si片上做為緩遲層和催化劑,以乙炔為C源氣體,利用化學氣相沉積法製備瞭碳納米管薄膜.掃描電鏡觀測結果錶明,碳納米管的直徑為50～80 am.採用二極管結構,測試瞭樣品的場髮射性能,結果錶明碳納米管薄膜具有優異的場髮射特性,薄膜與暘極距離為400μm時開啟場為0.85 V/μm、閾值場為1.22 V/μm.F-N理論計算結果錶明,碳納米管薄膜的有效髮射麵積幾乎不隨場髮射所加電壓的變化而改變;有效髮射麵積隨著薄膜與暘極距離的增加而增大.
토론료박막여양겁간격이급유효발사면적대탄납미관박막장발사성능적영향.이자공천사Al화Ni재Si편상주위완충층화최화제,이을결위C원기체,이용화학기상침적법제비료탄납미관박막.소묘전경관측결과표명,탄납미관적직경위50～80 am.채용이겁관결구,측시료양품적장발사성능,결과표명탄납미관박막구유우이적장발사특성,박막여양겁거리위400μm시개계장위0.85 V/μm、역치장위1.22 V/μm.F-N이론계산결과표명,탄납미관박막적유효발사면적궤호불수장발사소가전압적변화이개변;유효발사면적수착박막여양겁거리적증가이증대.
