半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1111-1115
,共5页
矫逸书%周玉梅%蒋见花%吴斌
矯逸書%週玉梅%蔣見花%吳斌
교일서%주옥매%장견화%오빈
时钟数据恢复%锁相环%高速采样器%判决电路%采样电路
時鐘數據恢複%鎖相環%高速採樣器%判決電路%採樣電路
시종수거회복%쇄상배%고속채양기%판결전로%채양전로
设计了一款工作速率为1.25～3.125 Gb/s的连续可调时钟数据恢复(CDR)电路,可以满足多种通信标准的设计需求.CDR采用相位插值型双环路结构,使系统可以根据应用需求对抖动抑制和相位跟踪能力独立进行优化.针对低功耗和低噪声的需求,提出一种新型半速率采样判决电路,利用电流共享和节点电容充放电技术,数据速率为3.125 Gb/s时,仅需要消耗50 μA电流.芯片采用0.13 μm工艺流片验证,面积0.42 m㎡,功耗98 mw,测试结果表明,时钟数据恢复电路接收PRBS7序列时,误码率小于10-12.
設計瞭一款工作速率為1.25～3.125 Gb/s的連續可調時鐘數據恢複(CDR)電路,可以滿足多種通信標準的設計需求.CDR採用相位插值型雙環路結構,使繫統可以根據應用需求對抖動抑製和相位跟蹤能力獨立進行優化.針對低功耗和低譟聲的需求,提齣一種新型半速率採樣判決電路,利用電流共享和節點電容充放電技術,數據速率為3.125 Gb/s時,僅需要消耗50 μA電流.芯片採用0.13 μm工藝流片驗證,麵積0.42 m㎡,功耗98 mw,測試結果錶明,時鐘數據恢複電路接收PRBS7序列時,誤碼率小于10-12.
설계료일관공작속솔위1.25～3.125 Gb/s적련속가조시종수거회복(CDR)전로,가이만족다충통신표준적설계수구.CDR채용상위삽치형쌍배로결구,사계통가이근거응용수구대두동억제화상위근종능력독립진행우화.침대저공모화저조성적수구,제출일충신형반속솔채양판결전로,이용전류공향화절점전용충방전기술,수거속솔위3.125 Gb/s시,부수요소모50 μA전류.심편채용0.13 μm공예류편험증,면적0.42 m㎡,공모98 mw,측시결과표명,시종수거회복전로접수PRBS7서렬시,오마솔소우10-12.
