电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2012年
1期
130-132
,共3页
静电%静电损伤%CMOS器件%保护措施
靜電%靜電損傷%CMOS器件%保護措施
정전%정전손상%CMOS기건%보호조시
anti-static%electrostatic damage%CMOS devices%protective measures
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述瞭CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提齣瞭幾種在線路設計中如何抗靜電,以保護CMOS器件不受損傷。
유우CMOS기건정전손상90%시연지실효,대정궤응용적가고성영향태대,인이유필요대CMOS기건진행항정전조시。본문묘술료CMOS기건수정전손상적궤리,종이대설계인원제출료궤충재선로설계중여하항정전,이보호CMOS기건불수손상。
As CMOS devices are static damage to 90% delay failure,the reliability of the whole application too much influence,hence the need for anti-static measures of CMOS devices.This paper describes the CMOS devices from electrostatic damage mechanism,which made several of the designer how the anti-static circuit design,to protect CMOS devices from damage.
