半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
10期
1315-1318
,共4页
王章涛%樊中朝%夏金松%陈少武%余金中
王章濤%樊中朝%夏金鬆%陳少武%餘金中
왕장도%번중조%하금송%진소무%여금중
SOI%多模干涉耦合器%调制器
SOI%多模榦涉耦閤器%調製器
SOI%다모간섭우합기%조제기
设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能.
設計和製作瞭多模榦涉馬赫曾德型熱光調製器.通過閤理選擇SOI光波導的埋層和包層的厚度,使製作齣的調製器有良好的綜閤性能.調製器調製深度為91%,功耗為0.35W,調製速度約為27μs.減小多模榦涉耦閤器的設計誤差和提高刻蝕均勻性可以改善調製器的性能.
설계화제작료다모간섭마혁증덕형열광조제기.통과합리선택SOI광파도적매층화포층적후도,사제작출적조제기유량호적종합성능.조제기조제심도위91%,공모위0.35W,조제속도약위27μs.감소다모간섭우합기적설계오차화제고각식균균성가이개선조제기적성능.
