半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
208-210
,共3页
段辉高%谢二庆%叶凡%蒋然%王晓明
段輝高%謝二慶%葉凡%蔣然%王曉明
단휘고%사이경%협범%장연%왕효명
HfOxNy%场发射%高压"锻炼"
HfOxNy%場髮射%高壓"鍛煉"
HfOxNy%장발사%고압"단련"
用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.
用直流濺射和高溫退火相結閤的方法製備瞭HfOxNy薄膜併測試瞭其場髮射性能,髮現其具有較低的開啟電場、較大的髮射電流密度以及很好的髮射穩定性.高壓"鍛煉"對提高HfOxNy場髮射性能起著關鍵作用,這與高壓"鍛煉"下薄膜內部結構和錶麵性質的改變有關.對場髮射機理的研究錶明,HfOxNy的場髮射符閤經典的FN隧穿理論.
용직류천사화고온퇴화상결합적방법제비료HfOxNy박막병측시료기장발사성능,발현기구유교저적개계전장、교대적발사전류밀도이급흔호적발사은정성.고압"단련"대제고HfOxNy장발사성능기착관건작용,저여고압"단련"하박막내부결구화표면성질적개변유관.대장발사궤리적연구표명,HfOxNy적장발사부합경전적FN수천이론.
