矿冶工程
礦冶工程
광야공정
2007年
3期
82-85
,共4页
刘新胜%周灵平%门海泉%李德意%李绍禄
劉新勝%週靈平%門海泉%李德意%李紹祿
류신성%주령평%문해천%리덕의%리소록
AlN薄膜%衬底温度%择优取向%表面形貌%反应磁控溅射
AlN薄膜%襯底溫度%擇優取嚮%錶麵形貌%反應磁控濺射
AlN박막%츤저온도%택우취향%표면형모%반응자공천사
采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20～490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰.
採用直流反應磁控濺射法在不同襯底溫度(20～490 ℃)下沉積瞭AlN薄膜,用XRD分析瞭薄膜的擇優取嚮,用高分辨場髮射掃描電鏡來錶徵瞭薄膜的錶麵型貌.實驗結果錶明,噹襯底處在20 ℃冷卻的樣品檯沉積AlN時其上沒有晶態的薄膜生成;襯底處于等離子體自加熱時,薄膜具有混閤的取嚮;隨著溫度的升高,薄膜的(002)晶麵擇優取嚮度逐漸增大,薄膜的結晶度越來越高,同時更加緻密化.噹溫度到達 400 ℃時,(002)晶麵取嚮度達到最大.溫度達到490 ℃時,薄膜再度齣現瞭明顯的(100),(101)晶麵的衍射峰.
채용직류반응자공천사법재불동츤저온도(20～490 ℃)하침적료AlN박막,용XRD분석료박막적택우취향,용고분변장발사소묘전경래표정료박막적표면형모.실험결과표명,당츤저처재20 ℃냉각적양품태침적AlN시기상몰유정태적박막생성;츤저처우등리자체자가열시,박막구유혼합적취향;수착온도적승고,박막적(002)정면택우취향도축점증대,박막적결정도월래월고,동시경가치밀화.당온도도체 400 ℃시,(002)정면취향도체도최대.온도체도490 ℃시,박막재도출현료명현적(100),(101)정면적연사봉.
