半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
3期
245-247,256
,共4页
硅化钨沉积%磷析出%沉积前清洗
硅化鎢沉積%燐析齣%沉積前清洗
규화오침적%린석출%침적전청세
研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体.这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率.本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案.
研究併討論瞭在WSix製備的前清洗中,用氣態氟化氫(HF)清洗時,多晶硅錶麵有從其體內析齣的含燐物,這種析齣物很容易跟氣態HF中的微量水汽結閤,形成HPO3晶體.這樣的晶體在Si片錶麵不容易被檢測到,卻可以很大程度地影響芯片的良率.本繫統觀測瞭這一現象,解釋瞭這種失效的機製,併且給齣這種失效模式的解決方案.
연구병토론료재WSix제비적전청세중,용기태불화경(HF)청세시,다정규표면유종기체내석출적함린물,저충석출물흔용역근기태HF중적미량수기결합,형성HPO3정체.저양적정체재Si편표면불용역피검측도,각가이흔대정도지영향심편적량솔.본계통관측료저일현상,해석료저충실효적궤제,병차급출저충실효모식적해결방안.
