河南师范大学学报（自然科学版）
河南師範大學學報（自然科學版）
하남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2009年
3期
49-52
,共4页
徐国亮%夏要争%贾光瑞%刘玉芳%智春艳%张现周
徐國亮%夏要爭%賈光瑞%劉玉芳%智春豔%張現週
서국량%하요쟁%가광서%류옥방%지춘염%장현주
MgF2%B3P86%电场%能级
MgF2%B3P86%電場%能級
MgF2%B3P86%전장%능급
利用密度泛函B3P86方法在cc-pVTZ基组水平上研究了不同外电场对MgF2分子基态键长、键角、偶极矩、电荷分布、能级分布的影响. 结果表明随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究MgF2材料的电致发光机制提供了一定的理论基础.
利用密度汎函B3P86方法在cc-pVTZ基組水平上研究瞭不同外電場對MgF2分子基態鍵長、鍵角、偶極矩、電荷分佈、能級分佈的影響. 結果錶明隨外電場彊度增大,最高佔據軌道與最低空軌道能隙變小,佔據軌道的電子易于激髮至空軌道,因而為研究MgF2材料的電緻髮光機製提供瞭一定的理論基礎.
이용밀도범함B3P86방법재cc-pVTZ기조수평상연구료불동외전장대MgF2분자기태건장、건각、우겁구、전하분포、능급분포적영향. 결과표명수외전장강도증대,최고점거궤도여최저공궤도능극변소,점거궤도적전자역우격발지공궤도,인이위연구MgF2재료적전치발광궤제제공료일정적이론기출.
