电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
4期
1-4
,共4页
周圆苑%李海敏%田云飞%肖定全%朱建国
週圓苑%李海敏%田雲飛%肖定全%硃建國
주원원%리해민%전운비%초정전%주건국
BLFPT薄膜%sol-gel法%快速退火
BLFPT薄膜%sol-gel法%快速退火
BLFPT박막%sol-gel법%쾌속퇴화
采用sol-gel法在SiO2/Si(100)衬底上制备了0.68(Bi0.98La0.02)FeO3-0.32PbTiO3(BLFPT)薄膜.采用快速退火技术,以2～40 ℃/s速率升温、在700 ℃下保温100 s对BLFPT薄膜进行了后续处理.研究了升温速率对BLFPT薄膜结构性能的影响.XRD测试结果显示BLFPT薄膜为赝立方结构.SEM和AFM结果表明,当升温速率为2 ℃/s时,BLFPT薄膜表面晶粒更为均匀致密,粗糙度最小.XPS分析显示,Bi、Fe和Ti分别主要以化合态Bi2O3、Fe2O3和TiO2的形式存在.
採用sol-gel法在SiO2/Si(100)襯底上製備瞭0.68(Bi0.98La0.02)FeO3-0.32PbTiO3(BLFPT)薄膜.採用快速退火技術,以2～40 ℃/s速率升溫、在700 ℃下保溫100 s對BLFPT薄膜進行瞭後續處理.研究瞭升溫速率對BLFPT薄膜結構性能的影響.XRD測試結果顯示BLFPT薄膜為贗立方結構.SEM和AFM結果錶明,噹升溫速率為2 ℃/s時,BLFPT薄膜錶麵晶粒更為均勻緻密,粗糙度最小.XPS分析顯示,Bi、Fe和Ti分彆主要以化閤態Bi2O3、Fe2O3和TiO2的形式存在.
채용sol-gel법재SiO2/Si(100)츤저상제비료0.68(Bi0.98La0.02)FeO3-0.32PbTiO3(BLFPT)박막.채용쾌속퇴화기술,이2～40 ℃/s속솔승온、재700 ℃하보온100 s대BLFPT박막진행료후속처리.연구료승온속솔대BLFPT박막결구성능적영향.XRD측시결과현시BLFPT박막위안립방결구.SEM화AFM결과표명,당승온속솔위2 ℃/s시,BLFPT박막표면정립경위균균치밀,조조도최소.XPS분석현시,Bi、Fe화Ti분별주요이화합태Bi2O3、Fe2O3화TiO2적형식존재.
