发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
6期
616-623
,共8页
发光二极管%内量子效率%衬底%温度场
髮光二極管%內量子效率%襯底%溫度場
발광이겁관%내양자효솔%츤저%온도장
发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系.本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究.结果表明:以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应(Efficiency droop)及最高的光谱强度和光电转换效率.这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比,以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降.
髮光二極管(LED)中載流子的輸運及複閤決定瞭其非均勻的內熱源彊度及分佈,而芯片溫度又影響載流子的輸運及複閤,兩者具有彊烈的耦閤關繫.本文利用非等溫多物理場耦閤模型對以藍寶石、Si及SiC為襯底的LED芯片的內量子效率、光譜特性及光電轉換效率進行瞭繫統研究.結果錶明:以SiC為襯底的LED芯片具有最小的效率下垂效應(Efficiency droop)及最高的光譜彊度和光電轉換效率.這是因為與其他兩種襯底的LED芯片相比,以SiC為襯底的LED芯片具有最好的散熱性能,因此非均勻溫度場對其載流子輸運及複閤的影響最小,使得活性區中的載流子濃度顯著增彊,漏電流明顯下降.
발광이겁관(LED)중재류자적수운급복합결정료기비균균적내열원강도급분포,이심편온도우영향재류자적수운급복합,량자구유강렬적우합관계.본문이용비등온다물리장우합모형대이람보석、Si급SiC위츤저적LED심편적내양자효솔、광보특성급광전전환효솔진행료계통연구.결과표명:이SiC위츤저적LED심편구유최소적효솔하수효응(Efficiency droop)급최고적광보강도화광전전환효솔.저시인위여기타량충츤저적LED심편상비,이SiC위츤저적LED심편구유최호적산열성능,인차비균균온도장대기재류자수운급복합적영향최소,사득활성구중적재류자농도현저증강,루전류명현하강.
