半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
157-161
,共5页
ZnO薄膜%射频磁控溅射%Si衬底%光致发光
ZnO薄膜%射頻磁控濺射%Si襯底%光緻髮光
ZnO박막%사빈자공천사%Si츤저%광치발광
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.
用射頻磁控濺射法在硅襯底上沉積齣具有良好的擇優取嚮的多晶ZnO薄膜.在室溫下進行光緻髮光測量,觀察到明顯的紫光髮射(波長為402nm)和弱的紫外光髮射 (波長為384nm).紫光髮射源于氧空位淺施主能級到價帶頂的電子躍遷;紫外光髮射則源于導帶與價帶之間的電子躍遷.隨著光激髮彊度的增加,紫光髮射彊度超線性增彊,且稍有藍移,而紫外光髮光彊度則近似線性增加.在氧氣中高溫退火後,薄膜結晶質量明顯提高,紫光髮射彊度變弱,紫外光髮射相對增彊.
용사빈자공천사법재규츤저상침적출구유량호적택우취향적다정ZnO박막.재실온하진행광치발광측량,관찰도명현적자광발사(파장위402nm)화약적자외광발사 (파장위384nm).자광발사원우양공위천시주능급도개대정적전자약천;자외광발사칙원우도대여개대지간적전자약천.수착광격발강도적증가,자광발사강도초선성증강,차초유람이,이자외광발광강도칙근사선성증가.재양기중고온퇴화후,박막결정질량명현제고,자광발사강도변약,자외광발사상대증강.
