RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
RTD/HEMT천련형공진수천삼겁관적설계여연제
Design and Fabrication of Resonant Tunneling Transistor with RTD/HEMT in Series Structure
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 10期 1594-1598 ,共5页

    梁惠来%郭维廉%宋瑞良%齐海涛%张世林%胡留长%李建恒%毛陆虹%商跃辉%冯震%田国平%李亚丽

    량혜래%곽유렴%송서량%제해도%장세림%호류장%리건항%모륙홍%상약휘%풍진%전국평%리아려

    RTT%RTD%HEMT%跨导截止频率%电流峰谷比 RTT%RTD%HEMT%跨導截止頻率%電流峰穀比
    RTT%RTD%HEMT%과도절지빈솔%전류봉곡비
    对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,棚压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
    대RTD/HEMT천련형공진수천삼겁관진행료설계화연제.측량결과표명:최대전류봉곡비위17.6∶1,붕압대봉치전압조공능력재1.5～7.7범위내,-3dB절지빈솔위4GHz,차충기건가여HEMT재결구화공예상겸용,가응용우HEMT고속전로.
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