红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2011年
5期
296-300,308
,共6页
非制冷红外焦平面阵列%微桥%光刻%各向异性腐蚀%腐蚀装置
非製冷紅外焦平麵陣列%微橋%光刻%各嚮異性腐蝕%腐蝕裝置
비제랭홍외초평면진렬%미교%광각%각향이성부식%부식장치
为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了(100)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究.研究KOH摩尔比、腐蚀温度对si基片腐蚀特性的影响.在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善.结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,选用KOH质量分数为34%、11%的IPA,在80℃、1.5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构.
為瞭製備高性能鐵電厚膜紅外探測器,對硅材料的各嚮異性腐蝕機理及特性進行瞭探討,開展瞭(100)硅片濕法各嚮異性腐蝕工藝研究.研究KOH摩爾比、腐蝕溫度對si基片腐蝕特性的影響.在KOH與IPA混閤腐蝕液腐蝕繫統中,氫氣泡可以快速的脫離硅錶麵,使得硅錶麵的形貌得到改善.結果錶明:Si(100)麵的腐蝕速度隨著腐蝕液濃度和溫度的升高而增大,選用KOH質量分數為34%、11%的IPA,在80℃、1.5h的腐蝕條件下能得到平整的腐蝕麵,可以製備質量較好的微橋結構.
위료제비고성능철전후막홍외탐측기,대규재료적각향이성부식궤리급특성진행료탐토,개전료(100)규편습법각향이성부식공예연구.연구KOH마이비、부식온도대si기편부식특성적영향.재KOH여IPA혼합부식액부식계통중,경기포가이쾌속적탈리규표면,사득규표면적형모득도개선.결과표명:Si(100)면적부식속도수착부식액농도화온도적승고이증대,선용KOH질량분수위34%、11%적IPA,재80℃、1.5h적부식조건하능득도평정적부식면,가이제비질량교호적미교결구.
