电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
6期
621-624
,共4页
刘斌%沈鸿烈%岳之浩%江丰%冯晓梅%潘园园
劉斌%瀋鴻烈%嶽之浩%江豐%馮曉梅%潘園園
류빈%침홍렬%악지호%강봉%풍효매%반완완
射频磁控溅射%AZO/p-Si异质结%I-V特性%太阳电池
射頻磁控濺射%AZO/p-Si異質結%I-V特性%太暘電池
사빈자공천사%AZO/p-Si이질결%I-V특성%태양전지
利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结.x射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性.暗态下的I-V测试表明,AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性,反向饱和电流为1.29× 10-6A,±2V处的正向和反向电流之比为229.41,计算得出异质结的理想因子为2.28.在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应,这种异质结太阳电池具有2.51％的光电转换效率.
利用射頻磁控濺射法,在p-Si襯底上生長瞭Al摻雜的ZnO(AZO)薄膜,併進而製備瞭AZO/p-Si異質結.x射線衍射儀、紫外-可見光分光光度計、四探針測試儀和霍爾效應測試儀測量錶明,AZO薄膜具有良好的結晶質量、光學和電學特性.暗態下的I-V測試錶明,AZO/p-Si異質結具有較好的整流特性,反嚮飽和電流為1.29× 10-6A,±2V處的正嚮和反嚮電流之比為229.41,計算得齣異質結的理想因子為2.28.在標準光照下AZO/p-Si異質結呈現齣明顯的光生伏特效應,這種異質結太暘電池具有2.51％的光電轉換效率.
이용사빈자공천사법,재p-Si츤저상생장료Al참잡적ZnO(AZO)박막,병진이제비료AZO/p-Si이질결.x사선연사의、자외-가견광분광광도계、사탐침측시의화곽이효응측시의측량표명,AZO박막구유량호적결정질량、광학화전학특성.암태하적I-V측시표명,AZO/p-Si이질결구유교호적정류특성,반향포화전류위1.29× 10-6A,±2V처적정향화반향전류지비위229.41,계산득출이질결적이상인자위2.28.재표준광조하AZO/p-Si이질결정현출명현적광생복특효응,저충이질결태양전지구유2.51％적광전전환효솔.
