半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
7期
714-717
,共4页
高玉琳%吕毅军%郑健生%张勇%MASCARENHAS A%辛火平%杜武青
高玉琳%呂毅軍%鄭健生%張勇%MASCARENHAS A%辛火平%杜武青
고옥림%려의군%정건생%장용%MASCARENHAS A%신화평%두무청
GaP1-xNx%喇曼散射%混晶
GaP1-xNx%喇曼散射%混晶
GaP1-xNx%나만산사%혼정
在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.
在室溫下測試瞭GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射譜.在一級喇曼散射譜中觀測到瞭GaP的LO(Γ)模和彊度較弱的禁戒TO(Γ)模以及N的跼域模(495cm-3).在N組分較高的一組樣品(x=1.3%～3.1%)中,還觀察到瞭位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之間的由N導緻的LO(N)模的喇曼頻移(387cm-1),其彊度隨著N濃度的增加而增彊.在二級喇曼散射譜中,除瞭觀測到佈裏淵區中心的聲子散射峰2LO(Γ)外,還觀測到瞭佈裏淵區邊界的聲子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且邊界散射峰的彊度比中心散射峰更彊.另外在組分x=0.6%和x=0.81%的樣品中,還得到瞭諸如來自不同NNi對或N原子簇糰的跼域模和由N導緻的新的散射峰.
재실온하측시료GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)혼정적나만산사보.재일급나만산사보중관측도료GaP적LO(Γ)모화강도교약적금계TO(Γ)모이급N적국역모(495cm-3).재N조분교고적일조양품(x=1.3%～3.1%)중,환관찰도료위우GaP적LO(Γ)모화TO(Γ)모지간적유N도치적LO(N)모적나만빈이(387cm-1),기강도수착N농도적증가이증강.재이급나만산사보중,제료관측도포리연구중심적성자산사봉2LO(Γ)외,환관측도료포리연구변계적성자산사봉2LO(L)、2TO(X)이급LO(L)+TO(X).차변계산사봉적강도비중심산사봉경강.령외재조분x=0.6%화x=0.81%적양품중,환득도료제여래자불동NNi대혹N원자족단적국역모화유N도치적신적산사봉.
