部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
부분모진형주불SIMOX기건적전리복사효응
Ionizing Radiation Effect of Partially-Depleted Fluoridated SIMOX
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 2期 349-353 ,共5页

    李宁%张国强%刘忠立%范楷%郑中山%林青%张正选%林成鲁

    리저%장국강%류충립%범해%정중산%림청%장정선%림성로

    SIMOX%氟%总剂量辐射 SIMOX%氟%總劑量輻射
    SIMOX%불%총제량복사
    采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.
    채용재SIMOX원편매양층중주입불(F)리자적방법개선SIMOX적항총제량복사능력,통과비교미주F양품화주F양품복조전후SIMOX기건Ids-Vgs특성화역치전압,발현F구유억제복사감생pMOSFET화nMOSFET역치전압표이적능력,병차가이감소nMOSFET중유복조소산생적루전류.설명재SOI재료중전후Si/SiO2계면처적F가이감소공혈함정밀도,유조우제고SIMOX적항총제량복사능력.
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