传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2008年
8期
45-47
,共3页
刘晓为%李金锋%揣荣岩%施长治%陆学斌%吴娅静
劉曉為%李金鋒%揣榮巖%施長治%陸學斌%吳婭靜
류효위%리금봉%췌영암%시장치%륙학빈%오아정
多晶硅纳米薄膜%电学特性%掺杂浓度%膜厚
多晶硅納米薄膜%電學特性%摻雜濃度%膜厚
다정규납미박막%전학특성%참잡농도%막후
用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60～250nm的多晶硅纳米薄膜,研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响.结合扫描电镜(SEM)图片,在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上,分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响.结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性,电阻率温度系数可达到1×10-4～3×10-4/℃的水平.
用低壓化學氣相澱積(LPCVD)法澱積瞭膜厚為60～250nm的多晶硅納米薄膜,研究瞭膜厚和摻雜濃度對多晶硅納米薄膜電學特性的影響.結閤掃描電鏡(SEM)圖片,在電阻率與電阻率溫度繫數測試結果的基礎上,分析瞭膜厚和摻雜濃度對薄膜電學特性的影響.結果錶明:重摻雜多晶硅納米薄膜具有良好的溫度特性,電阻率溫度繫數可達到1×10-4～3×10-4/℃的水平.
용저압화학기상정적(LPCVD)법정적료막후위60～250nm적다정규납미박막,연구료막후화참잡농도대다정규납미박막전학특성적영향.결합소묘전경(SEM)도편,재전조솔여전조솔온도계수측시결과적기출상,분석료막후화참잡농도대박막전학특성적영향.결과표명:중참잡다정규납미박막구유량호적온도특성,전조솔온도계수가체도1×10-4～3×10-4/℃적수평.
