半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
7期
538-541
,共4页
刘生有%马骁%杜占坤%郭桂良%阎跃鹏
劉生有%馬驍%杜佔坤%郭桂良%閻躍鵬
류생유%마효%두점곤%곽계량%염약붕
无片外电容%低压差稳压器%密勒补偿%高稳定性%片上系统(SoC)
無片外電容%低壓差穩壓器%密勒補償%高穩定性%片上繫統(SoC)
무편외전용%저압차은압기%밀륵보상%고은정성%편상계통(SoC)
设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO ),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中.针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV.
設計瞭一款無片外電容低壓差線性穩壓器(LDO ),與傳統的LDO相比,此LDO消除瞭傳統結構中所需的片外電容,可更好地應用于全集成低功耗的片上繫統(SoC)中.針對無片外電容LDO沒有外部等效零點補償這一特點,採用一種摺疊輸入推輓輸齣誤差放大器結構,結閤密勒補償以及一階RC串聯零點補償兩種方案,有效地改善瞭無片外電容LDO的穩定性.電路採用SMIC 0.18μm CMOS工藝實現,麵積為0.11 mm2,最大負載電容100 pF,輸入電壓為1.8 V時,輸齣電壓為1.5 V,靜態電流31.8μA,壓差為160 mV.
설계료일관무편외전용저압차선성은압기(LDO ),여전통적LDO상비,차LDO소제료전통결구중소수적편외전용,가경호지응용우전집성저공모적편상계통(SoC)중.침대무편외전용LDO몰유외부등효영점보상저일특점,채용일충절첩수입추만수출오차방대기결구,결합밀륵보상이급일계RC천련영점보상량충방안,유효지개선료무편외전용LDO적은정성.전로채용SMIC 0.18μm CMOS공예실현,면적위0.11 mm2,최대부재전용100 pF,수입전압위1.8 V시,수출전압위1.5 V,정태전류31.8μA,압차위160 mV.
