功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2012年
4期
283-290
,共8页
孙丽媛%高志远%张露%马莉%吴文蓉%邹德恕
孫麗媛%高誌遠%張露%馬莉%吳文蓉%鄒德恕
손려원%고지원%장로%마리%오문용%추덕서
ICP刻蚀%光刻胶%侧壁倾角%刻蚀选择比
ICP刻蝕%光刻膠%側壁傾角%刻蝕選擇比
ICP각식%광각효%측벽경각%각식선택비
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象.在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象.
使用感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕技術刻蝕GaAs材料,在光刻過程中採用不同厚度的光刻膠,研究在同一刻蝕條件下不同光刻膠厚度對刻蝕圖形側壁傾斜度的影響,併研究瞭光刻膠厚度對側壁傾角影響在不同大小圖形刻蝕中的呎吋效應,提齣瞭關于刻蝕機理的呎吋增益現象及可能髮生的刻蝕離子的散射模型,解釋瞭光刻膠厚度較大時小線寬圖形側壁傾角變化明顯的現象.在研究光刻膠厚度對側壁傾角影響的基礎上,研究瞭不同ICP刻蝕選擇比對GaAs樣品刻蝕後側壁傾角的變化的影響,併從GaAs榦法刻蝕機理及刻蝕條件對ICP刻蝕過程中的化學、物理反應的影響來解釋這一現象.
사용감응우합등리자체(ICP)각식기술각식GaAs재료,재광각과정중채용불동후도적광각효,연구재동일각식조건하불동광각효후도대각식도형측벽경사도적영향,병연구료광각효후도대측벽경각영향재불동대소도형각식중적척촌효응,제출료관우각식궤리적척촌증익현상급가능발생적각식리자적산사모형,해석료광각효후도교대시소선관도형측벽경각변화명현적현상.재연구광각효후도대측벽경각영향적기출상,연구료불동ICP각식선택비대GaAs양품각식후측벽경각적변화적영향,병종GaAs간법각식궤리급각식조건대ICP각식과정중적화학、물리반응적영향래해석저일현상.
