Bi过量和Mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷
Bi과량화Mn참잡적태산필납기무연압전도자
Mn-doped Lead-free Piezoelectric (Na, Bi)TiO3 Based Ceramics Compensated with Extra Bi
  • 万方数据
    电子元件与材料 전자원건여재료
    ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
    2006年 4期 1-3 ,共3页

    杜鹃%王矜奉%赵明磊%陈洪存%梁兴华%盖志刚%苏文斌%臧国忠

    두견%왕긍봉%조명뢰%진홍존%량흥화%개지강%소문빈%장국충

    无机非金属材料%无铅压电陶瓷%掺杂%压电常数%机电耦合系数 無機非金屬材料%無鉛壓電陶瓷%摻雜%壓電常數%機電耦閤繫數
    무궤비금속재료%무연압전도자%참잡%압전상수%궤전우합계수
    采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷.对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218 pC/N.研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214 pC/N,kt为0.44,k33为0.52.
    채용전통전자도자제비공예제비(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3무연압전도자,획득료d33고체185 pC/N적0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3압전도자.대Bi적휘발진행료보상,첨가과량Bi2O3(마이분수z=0.08)적태산필납기압전도자,d33고체218 pC/N.연구료Mn참잡대태산필납기도자압전、개전성능화손모적영향,획득료고성능적무연압전도자,기중d33위214 pC/N,kt위0.44,k33위0.52.
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