影像科学与光化学
影像科學與光化學
영상과학여광화학
IMAGING SCIENCE AND PHOTOCHEMISTRY
2012年
2期
129-133
,共5页
夏冬林%雷盼%石正忠%徐俊
夏鼕林%雷盼%石正忠%徐俊
하동림%뢰반%석정충%서준
ZnS薄膜%电沉积%透过率%光学带隙
ZnS薄膜%電沉積%透過率%光學帶隙
ZnS박막%전침적%투과솔%광학대극
采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V 1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60％降低到20％,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.
採用電沉積方法,在不同沉積電位條件下,在氧化錫銦(ITO)導電玻璃上沉積製備瞭ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS測試技術對在不同沉積電位所製備薄膜的晶相結構、錶麵微觀形貌和光學性能進行瞭錶徵.研究結果錶明:沉積電位在1.5 V 1.7V範圍內製備的ZnS薄膜呈非晶態,其可見光透過率從60％降低到20％,薄膜的光學帶隙約為3.97 eV.在沉積電位為2.0V條件下所沉積薄膜為ZnS結晶相和金屬Zn混閤相,薄膜透過率顯著降低.
채용전침적방법,재불동침적전위조건하,재양화석인(ITO)도전파리상침적제비료ZnS박막,이용XRD、SEM화UV-VIS측시기술대재불동침적전위소제비박막적정상결구、표면미관형모화광학성능진행료표정.연구결과표명:침적전위재1.5 V 1.7V범위내제비적ZnS박막정비정태,기가견광투과솔종60％강저도20％,박막적광학대극약위3.97 eV.재침적전위위2.0V조건하소침적박막위ZnS결정상화금속Zn혼합상,박막투과솔현저강저.
