半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
3期
203-206
,共4页
莫郁薇%张增照%古文刚%聂国健%李志国
莫鬱薇%張增照%古文剛%聶國健%李誌國
막욱미%장증조%고문강%섭국건%리지국
多芯片组件%可靠性预计%失效率%加速寿命%极限应力
多芯片組件%可靠性預計%失效率%加速壽命%極限應力
다심편조건%가고성예계%실효솔%가속수명%겁한응력
通过对多芯片组件(MCM)的结构、失效模式和机理的分析,提出了适合我国生产实际的MCM失效率预计模型.采用加速寿命试验和点估计法获得了膜电阻的基本失效率λRT和布线与工艺基本失效率λC;并采用极限应力对比试验获得了层间系数πcp.
通過對多芯片組件(MCM)的結構、失效模式和機理的分析,提齣瞭適閤我國生產實際的MCM失效率預計模型.採用加速壽命試驗和點估計法穫得瞭膜電阻的基本失效率λRT和佈線與工藝基本失效率λC;併採用極限應力對比試驗穫得瞭層間繫數πcp.
통과대다심편조건(MCM)적결구、실효모식화궤리적분석,제출료괄합아국생산실제적MCM실효솔예계모형.채용가속수명시험화점고계법획득료막전조적기본실효솔λRT화포선여공예기본실효솔λC;병채용겁한응력대비시험획득료층간계수πcp.
