电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
3期
19-22
,共4页
EEPROM%辐射机理%SONOS%FLOTOX
EEPROM%輻射機理%SONOS%FLOTOX
EEPROM%복사궤리%SONOS%FLOTOX
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元.同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小.文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础.
隨著EEPROM存儲器件在太空和軍事領域的廣汎應用,國際上對EEPROM抗輻射性能的研究越來越多.為瞭滿足太空及軍事領域的需要,文章分彆研究瞭FLOTOX和SONOS兩種EEPROM工藝製成的存儲單元在輻射條件下所受的影響,比較瞭FLOTOX和SONOS單元抗輻射性能的優劣,得齣由于FLOTOX單元受工藝和結構的限製,抗輻射性能不如SONOS單元.同時在做抗輻射加固設計時,FLOTOX單元還需要攷慮到電壓耦閤比的問題,且不利于等比例縮小.文章的研究不但滿足瞭目前的工作需要,還為以後抗輻射EEPROM製作提供瞭理論基礎.
수착EEPROM존저기건재태공화군사영역적엄범응용,국제상대EEPROM항복사성능적연구월래월다.위료만족태공급군사영역적수요,문장분별연구료FLOTOX화SONOS량충EEPROM공예제성적존저단원재복사조건하소수적영향,비교료FLOTOX화SONOS단원항복사성능적우렬,득출유우FLOTOX단원수공예화결구적한제,항복사성능불여SONOS단원.동시재주항복사가고설계시,FLOTOX단원환수요고필도전압우합비적문제,차불리우등비례축소.문장적연구불단만족료목전적공작수요,환위이후항복사EEPROM제작제공료이론기출.
