电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2006年
2期
13-17,52
,共6页
157nm光刻%氟化钙材料,局部反射光斑、双折射%折反射光路%保护薄膜%污染控制%浸液式光刻
157nm光刻%氟化鈣材料,跼部反射光斑、雙摺射%摺反射光路%保護薄膜%汙染控製%浸液式光刻
157nm광각%불화개재료,국부반사광반、쌍절사%절반사광로%보호박막%오염공제%침액식광각
概述了作为下一代光刻技术之一的157 nm F2准分子激光光刻技术的进展及各公司157 nm曝光设备的开发现状.介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决.最后讨论了15 7 nm光刻技术在45 nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157 nm光刻进入32 nm技术节点器件图形曝光的潜力.
概述瞭作為下一代光刻技術之一的157 nm F2準分子激光光刻技術的進展及各公司157 nm曝光設備的開髮現狀.介紹瞭157nm光刻中各種製約因素,如CaF2材料的雙摺射現象、真空環境的排氣及汙染控製、保護薄膜的選擇、摺反射光學繫統的選擇與設計及新型抗蝕劑的開髮等問題隨著時間的推進已基本得到解決.最後討論瞭15 7 nm光刻技術在45 nm及以下節點器件圖形曝光引入的可能性和採用浸液式157 nm光刻進入32 nm技術節點器件圖形曝光的潛力.
개술료작위하일대광각기술지일적157 nm F2준분자격광광각기술적진전급각공사157 nm폭광설비적개발현상.개소료157nm광각중각충제약인소,여CaF2재료적쌍절사현상、진공배경적배기급오염공제、보호박막적선택、절반사광학계통적선택여설계급신형항식제적개발등문제수착시간적추진이기본득도해결.최후토론료15 7 nm광각기술재45 nm급이하절점기건도형폭광인입적가능성화채용침액식157 nm광각진입32 nm기술절점기건도형폭광적잠력.
