传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2006年
1期
42-45
,共4页
氮化硅%纳米探针%AFM
氮化硅%納米探針%AFM
담화규%납미탐침%AFM
在〈100〉晶向硅片上通过各向异性腐蚀形成作为模板的倒金字塔形尖坑, 用LPCVD和PECVD法淀积一层约 1 μm厚的氮化硅膜, 通过等离子刻蚀形成悬臂梁图形,再把抛光玻璃片静电键合到氮化硅膜上, 最后把衬底硅片腐蚀掉,带有金字塔形针尖的悬臂梁就暴露出来,从而构成可用于原子力显微镜(AFM)描绘纳米图像的氮化硅纳米探针.对针尖的尖度和氮化硅膜悬臂梁的热应力补偿进行了深入研讨, 并报道一种特殊而有效的悬臂梁掩模板图形的新设计.制成的氮化硅纳米探针在原子力显微镜上成功地描绘出了纳米图像, 经检测, 其 Z向偏转检测精度优于10-9量级.
在〈100〉晶嚮硅片上通過各嚮異性腐蝕形成作為模闆的倒金字塔形尖坑, 用LPCVD和PECVD法澱積一層約 1 μm厚的氮化硅膜, 通過等離子刻蝕形成懸臂樑圖形,再把拋光玻璃片靜電鍵閤到氮化硅膜上, 最後把襯底硅片腐蝕掉,帶有金字塔形針尖的懸臂樑就暴露齣來,從而構成可用于原子力顯微鏡(AFM)描繪納米圖像的氮化硅納米探針.對針尖的尖度和氮化硅膜懸臂樑的熱應力補償進行瞭深入研討, 併報道一種特殊而有效的懸臂樑掩模闆圖形的新設計.製成的氮化硅納米探針在原子力顯微鏡上成功地描繪齣瞭納米圖像, 經檢測, 其 Z嚮偏轉檢測精度優于10-9量級.
재〈100〉정향규편상통과각향이성부식형성작위모판적도금자탑형첨갱, 용LPCVD화PECVD법정적일층약 1 μm후적담화규막, 통과등리자각식형성현비량도형,재파포광파리편정전건합도담화규막상, 최후파츤저규편부식도,대유금자탑형침첨적현비량취폭로출래,종이구성가용우원자력현미경(AFM)묘회납미도상적담화규납미탐침.대침첨적첨도화담화규막현비량적열응력보상진행료심입연토, 병보도일충특수이유효적현비량엄모판도형적신설계.제성적담화규납미탐침재원자력현미경상성공지묘회출료납미도상, 경검측, 기 Z향편전검측정도우우10-9량급.
