Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术
Si기체이유심통도미공렬진각식기술
Etching Technology of Si-Based Two-Dimension Deep Microchannel Array
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2008年 12期 729-733 ,共5页

    向嵘%王国政%陈立%高延军%王新%李野%端木庆铎%田景全

    향영%왕국정%진립%고연군%왕신%리야%단목경탁%전경전

    硅基体%二维通道电子倍增器%微孔列阵%感应耦合等离子体%光电化学刻蚀 硅基體%二維通道電子倍增器%微孔列陣%感應耦閤等離子體%光電化學刻蝕
    규기체%이유통도전자배증기%미공렬진%감응우합등리자체%광전화학각식
    Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现.简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0,μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性.
    Si재료이유심통도미공렬진시신형이유통도전자배증기적기체,기가이채용감응우합등리자체(ICP)각식화광전화학(PEC)각식등반도체공예기술실현.간술료ICP공예원리화실험방법,급출료미공직경6～10μm、장경비약20、평균각식속솔약1.0,μm/min적실험양품,지출료심통도내벽존재종향조대불균균분포현상、성인화해결도경;중점논술료미공심통도렬진PEC각식원리화실험방법,재우화적광전화학공예삼수하,득도료방공변장3.0μm、중심거위6.0μm、심도약위160μm적n형Si기이유심통도미공렬진기체양품,득출료복조광강、Si기정향여HF적질량분수시영향양품질량적결론,지출료광전화학각식공예적우월성.
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