单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端工艺研究
단편집성GaAs PIN/PHEMT광접수궤전단공예연구
Process Research of GaAs PIN/PHEMT Monolithic Integrated Optical Receiver Front End
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2008年 4期 540-544 ,共5页

    冯忠%焦世龙%冯欧%杨立杰%蒋幼泉%陈堂胜%陈辰%叶玉堂

    풍충%초세룡%풍구%양립걸%장유천%진당성%진신%협옥당

    单片集成%光探测器%分布放大器%光接收机%眼图 單片集成%光探測器%分佈放大器%光接收機%眼圖
    단편집성%광탐측기%분포방대기%광접수궤%안도
    利用0.5 pm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求.结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1 Gb/s和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.
    이용0.5 pm GaAs PHEMT기술연구료괄용우단편집성GaAs PIN/PHEMT광접수궤전단적관건공예,해결료태면공예화PHEMT평면공예적겸용성문제,포괄불동농도린산계부식액대태면부식균균성적영향、태면여평면공유금속화공예대광각기술적요구.결과표명,공예기술완전만족단편설계요구,연제득도적단편집성광접수궤전단재수입1 Gb/s화2.5 Gb/s비귀령(NRZ)위수궤이진제서렬(PRBS)조제적광신호하득도교위청석적수출안도.
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