电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
12期
60-62
,共3页
何建廷%曹文田%李田泽%庄惠照
何建廷%曹文田%李田澤%莊惠照
하건정%조문전%리전택%장혜조
无机非金属材料%PLD%ZnO%薄膜%Al2O3
無機非金屬材料%PLD%ZnO%薄膜%Al2O3
무궤비금속재료%PLD%ZnO%박막%Al2O3
在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜.研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响.结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500 ℃时,出现了位于410 nm附近的特殊的光致发光(PL)峰.
在不同襯底溫度下,用脈遲激光沉積法(PLD),在Al2O3(0001)平麵上生長瞭ZnO薄膜.研究瞭襯底溫度對其結晶質量、電學性質以及髮光性質的影響.結果顯示:XRD在2θ為34°處齣現瞭唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的電阻率隨襯底溫度的升高而增大;在襯底溫度為500 ℃時,齣現瞭位于410 nm附近的特殊的光緻髮光(PL)峰.
재불동츤저온도하,용맥충격광침적법(PLD),재Al2O3(0001)평면상생장료ZnO박막.연구료츤저온도대기결정질량、전학성질이급발광성질적영향.결과현시:XRD재2θ위34°처출현료유일적ZnO(0002)연사봉;ZnO박막적전조솔수츤저온도적승고이증대;재츤저온도위500 ℃시,출현료위우410 nm부근적특수적광치발광(PL)봉.
