光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
7期
869-871,894
,共4页
黄燕华%陈松岩%李成%蔡加法%余金中
黃燕華%陳鬆巖%李成%蔡加法%餘金中
황연화%진송암%리성%채가법%여금중
金属-半导体-金属结构%光电响应度%探测器
金屬-半導體-金屬結構%光電響應度%探測器
금속-반도체-금속결구%광전향응도%탐측기
为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器.5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍.文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5 μm和10 μm器件光电响应的不同.
為瞭提高硅MSM結構光電探測器的光電響應度,製備瞭U型凹槽電極結構的探測器.5 V偏壓下,對650 nm波長入射光的絕對光電響應度測試錶明,凹槽電極結構的探測器最大光電響應度值為0.486 A/W,比同樣呎吋的平版結構光電探測器提高瞭約6倍.文中也對比瞭具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相對響應光譜的差彆,併且比較分析瞭扠指間隙分彆為5 μm和10 μm器件光電響應的不同.
위료제고규MSM결구광전탐측기적광전향응도,제비료U형요조전겁결구적탐측기.5 V편압하,대650 nm파장입사광적절대광전향응도측시표명,요조전겁결구적탐측기최대광전향응도치위0.486 A/W,비동양척촌적평판결구광전탐측기제고료약6배.문중야대비료구유항반사막화불구유항반사막적기건상대향응광보적차별,병차비교분석료차지간극분별위5 μm화10 μm기건광전향응적불동.
