电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
12期
21-23
,共3页
沈朝忠%周洪庆%刘敏%朱海奎%杨春花
瀋朝忠%週洪慶%劉敏%硃海奎%楊春花
침조충%주홍경%류민%주해규%양춘화
无机非金属材料%CaB2O4/CBS复相陶瓷%低温烧结%介电性能
無機非金屬材料%CaB2O4/CBS複相陶瓷%低溫燒結%介電性能
무궤비금속재료%CaB2O4/CBS복상도자%저온소결%개전성능
研究了偏硼酸钙(CaB2O4)与钙硼硅(CBS)玻璃按不同比例制备的CaB2O4/CBS复相陶瓷的相组成、显微结构、介电性能和热膨胀系数等.在200～500 ℃时,复相陶瓷的热膨胀系数为10×10-6 K-1.当添加w(CBS)为20%,CaB2O4/CBS复相陶瓷经过930 ℃保温2 h后,试样主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所构成.微观结构致密,气孔率低,晶粒尺寸为5 μm左右.在10 MHz下,εr 为7.18,tanδ为1.2×10-4.
研究瞭偏硼痠鈣(CaB2O4)與鈣硼硅(CBS)玻璃按不同比例製備的CaB2O4/CBS複相陶瓷的相組成、顯微結構、介電性能和熱膨脹繫數等.在200～500 ℃時,複相陶瓷的熱膨脹繫數為10×10-6 K-1.噹添加w(CBS)為20%,CaB2O4/CBS複相陶瓷經過930 ℃保溫2 h後,試樣主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所構成.微觀結構緻密,氣孔率低,晶粒呎吋為5 μm左右.在10 MHz下,εr 為7.18,tanδ為1.2×10-4.
연구료편붕산개(CaB2O4)여개붕규(CBS)파리안불동비례제비적CaB2O4/CBS복상도자적상조성、현미결구、개전성능화열팽창계수등.재200～500 ℃시,복상도자적열팽창계수위10×10-6 K-1.당첨가w(CBS)위20%,CaB2O4/CBS복상도자경과930 ℃보온2 h후,시양주요유CaB2O4정상화소량적β-CaSiO3정상소구성.미관결구치밀,기공솔저,정립척촌위5 μm좌우.재10 MHz하,εr 위7.18,tanδ위1.2×10-4.
